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时间: 2020年03月29日 17:45 | 来源: 【BloodyRose】 | 编辑: 井力行 | 阅读: 1103 次

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1970-2017  DRAM芯片商场上的存亡搏杀

OFweek电子工程网讯 这张相片展现了一堆古玩内存。从上到下是:选用三星颗粒的两根32M 72针DRAM内存,韩国出产。中心是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM内存。最下面是选用英飞凌颗粒的64M PC133 SDRAM内存,葡萄牙出产。其间NCP是新加坡赫克松(Hexon)集团的内存品牌。赫克松成立于1989年,是德国英飞凌和日本尔必达的亚太区总代理,因而收购两家的DRAM颗粒,到新加坡组装成内存条,然后出售到我国大陆,靠价格低廉制胜。不过时至今日,德国英飞凌(奇梦达)和日本尔必达,都现已破产倒闭。只剩余了韩国三星独霸江湖。

DRAM是动态随机存储器的意思,也就是电脑内存。关于今日的消费者来说,电脑内存仅仅些绿色的小条条,价格不过几百元。但是这些小玩意,却走过了长达120年的杂乱演进前史。从百年前的穿孔纸卡、磁鼓、磁芯到半导体晶体管DRAM内存。人们现已很难幻想,一个电冰箱巨细的计算机存储器,只能存储几K数据,价格却高达几万美元。在我国商场,1994年的时分,一根4M内存价格1400元,相当于两个月工资。1999年台湾921大地震,在北京中关村,一根64M SDRAM内存条,价格能够在几天内,从500元暴涨到1600元。

自1970年,美国英特尔的半导体晶体管DRAM内存上市以来,现已曩昔47年。DRAM内存芯片商场,累计创造了超越1万亿美元产值($1000,000,000,000美元)。企业间掺杂着有你没我的存亡搏杀。美国、日本、德国、韩国、我国台湾的选手,怀揣巨额筹码,高高兴兴地走进来,却在输光光之后黯然离场。无数名震国际的工业巨子轰然倒地。就连创始DRAM工业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM,也分别在1986年、1998年和1999年,惨痛地退出了DRAM商场。现在,只要韩国三星和海力士,占有肯定独占位置,在DRAM商场呼风唤雨,赚得盆满钵满。

从美国到韩国,这个巨大的改变,背面隐藏着半个世纪以来,那些不为人知的经济战役,足以载入经济学教科书。把欧美和我国,那些冒牌经济学家,竭力宣扬的“自在商场经济”论调,完全扫进垃圾堆。

——这是一场真实的经济战役,国与国之间的存亡比赛,惨烈程度远超液晶战役。

1970-2017  DRAM芯片商场上的存亡搏杀

1949年,美国哈佛大学实验室的王安博士,创造磁芯存储器。这种陈旧的存储器一向运用到1970年代。直至被英特尔批量出产的DRAM内存筛选。

在叙说这场经济战役前,我们先从总体上,了解一下DRAM内存工业的头绪和现状。

电脑存储器的创造者,简直都来自计算机巨子——美国IBM公司。IBM的前史最早可追溯到1890年代。美国统计学家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研发了穿孔制表机,选用在卡纸上打孔的方法,记载统计数据。1890年,美国进行第12次人口普查时,便很多选用这种机器。直到1930年代,IBM每年仍要出售上千万张穿孔纸卡。

1932年,IBM公司的奥地利裔工程师古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek),创造了第一种被广泛运用的计算机存储器,称为“磁鼓存储器”。直到1950年代,磁鼓依然是大型计算机的首要存储方法。1956年,IBM公司购买了我国人王安博士(上海人),具有的“磁芯存储器”专利。磁芯存储一向运用至1970年代。1966年,IBM公司的研究人员,罗伯特·登纳德博士,创造了半导体晶体管DRAM内存,并在1968年取得专利。

然后,1970年美国英特尔,依托批量出产DRAM大获成功,逼死了磁芯存储器。1976年日本厂商进攻DRAM商场后,差点将英特尔逼死。1985年美国发起经济战役,拔擢韩国厂商进攻DRAM工业,又将日本厂商逼死。1997年美国发起亚洲金融风暴,差点将韩国厂商逼死。美国操控韩国经济后,韩国厂商又借着DRAM商场的暴利翻身兴起。此刻不怕死的台湾人冲进DRAM商场,投入500亿美元却亏得血本无归。2007年全球经济危机,逼死了德国厂商,并将台湾DRAM厂商打翻在地,狠踩两脚。2017年,不怕死的我国大陆厂商冲了进来,预备出资660亿美元,进攻DRAM商场。

有人说,我国人疯了。

我说没疯,由于我国——做为国际第一大电子产品制作国,竟然90%以上的内存靠进口,剩余那部分,竟然连国产的产值,都操控在韩国企业手里。

1970-2017  DRAM芯片商场上的存亡搏杀

2015年,韩国三星电子出资136亿美元(15.6万亿韩元),在韩国京畿道平泽市,建造12寸晶圆DRAM厂(Fab18)。该项目占地2.89平方公里,总产能估计将到达每月45万片晶圆,其间3D NAND闪存芯片将占有一半以上。首要出产***64层堆叠3D NAND闪存芯片。2017年7月4日三星宣告该厂投产。

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(井力行编辑《【BloodyRose】》2020年03月29日 17:45 )

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